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光刻工藝

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光刻工藝
光刻的原理是在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠,再用光線(xiàn)(一般是紫外光、深紫外光、極紫外光)透過(guò)掩模照射在硅片表面,被光線(xiàn)照射到的光刻膠會(huì )發(fā)生反應。此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠, 就實(shí)現了電路圖從掩模到硅片的轉移。光刻工藝對極小污染物的控制苛刻到極致,同時(shí)嚴控過(guò)濾產(chǎn)品的金屬離子析出。最強耐腐蝕全氟濾芯采用進(jìn)口PTFE膜,進(jìn)口PTFE支撐層,全氟骨架經(jīng)過(guò)特殊結構設計而制成適用于光刻膠的終端過(guò)濾。
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